VISHAY · Полупроводники

VISHAY SI2323CDS-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SI2323CDS-T1-GE3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 2,5Вт; SOT23

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSI2323CDS-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SI2323CDS-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SI2323CDS-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -4,6А.

Сопротивление в открытом состоянии — 63мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,5Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 25нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В; Ток стока в импульсном режиме — -20А.

Перед заказом проверьте артикул SI2323CDS-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI2323CDS-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.