О модели
Описание
VISHAY SI2319DS-T1-E3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -2,4А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,13Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,8Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 17нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — -12А.
Перед заказом проверьте артикул SI2319DS-T1-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI2319DS-T1-E3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
