VISHAY · Полупроводники

VISHAY SI2319DDS-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SI2319DDS-T1-GE3

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSI2319DDS-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

VISHAY SI2319DDS-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А

Перед заказом проверьте артикул SI2319DDS-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI2319DDS-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV