О модели
Описание
VISHAY SI2319DDS-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -3,6А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,1Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,7Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 19нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — -15А.
Перед заказом проверьте артикул SI2319DDS-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI2319DDS-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
