VISHAY · Полупроводники

VISHAY SI2312CDS-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SI2312CDS-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSI2312CDS-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 5,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SI2312CDS-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SI2312CDS-T1-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5,1 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.

Напряжение сток-исток — 20В; Сопротивление в открытом состоянии — 41,4мОм; Рассеиваемая мощность — 1,3Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 8,8нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.

Перед заказом проверьте артикул SI2312CDS-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
5,1 А
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI2312CDS-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.