VISHAY · Полупроводники

VISHAY SI2304DDS-T1-BE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SI2304DDS-T1-BE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,3А; Idm: 15А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSI2304DDS-T1-BE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 3,3 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SI2304DDS-T1-BE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SI2304DDS-T1-BE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,3 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.

Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 60мОм; Рассеиваемая мощность — 1,7Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 2,1нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — 15А.

Перед заказом проверьте артикул SI2304DDS-T1-BE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
3,3 А
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI2304DDS-T1-BE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.