VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI1967DH-T1-E3 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: SI1967DH-T1-E3
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А
Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Корпус: SC70-6 · Тип транзистора: P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
VISHAY SI1967DH-T1-E3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; SOT363; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -1,3А.
Сопротивление в открытом состоянии — 790мОм; Тип транзистора — P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 1,25Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 4нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Ток стока в импульсном режиме — -3А.
Перед заказом проверьте артикул SI1967DH-T1-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70-6, SOT363
- Тип транзистора
- P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1967DH-T1-E3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
