VISHAY SI1922EDH-T1-BE3 — Транзисторы многоканальные
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 1,2А; Idm: 4А
Ток стока: 1,2 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Корпус: SC70-6 · Корпус: SC88 · Тип транзистора: N-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
Описание
VISHAY SI1922EDH-T1-BE3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; SC88; SOT363; Напряжение сток-исток — 20В; Ток стока — 1,2 А.
Сопротивление в открытом состоянии — 198мОм; Тип транзистора — N-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 1,25Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 2,5нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±8В; Ток стока в импульсном режиме — 4А.
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70-6, SC88, SOT363
- Тип транзистора
- N-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1922EDH-T1-BE3
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
