VISHAY · Полупроводники

VISHAY SI1443EDH-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SI1443EDH-T1-GE3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; ESD

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSI1443EDH-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: SOT323 · Корпус: SC70 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SI1443EDH-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SI1443EDH-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70; SOT323; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -4А.

Сопротивление в открытом состоянии — 54мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,8Вт; Полярность — полевой.

Версия — ESD; Заряд затвора — 28нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.

Ток стока в импульсном режиме — -15А.

Перед заказом проверьте артикул SI1443EDH-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SC70, SOT323
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI1443EDH-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.