VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI1023CX-T1-GE3 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: SI1023CX-T1-GE3
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -0,45А; 0,22Вт
Монтаж: SMD · Корпус: SOT563 · Корпус: SC89 · Тип транзистора: P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
VISHAY SI1023CX-T1-GE3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC89; SOT563; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -0,45А.
Сопротивление в открытом состоянии — 2,4Ом; Тип транзистора — P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 0,22Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 2,5нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Ток стока в импульсном режиме — -1,5А.
Перед заказом проверьте артикул SI1023CX-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC89, SOT563
- Тип транзистора
- P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1023CX-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
