VISHAY SI1016CX-T1-GE3 — Транзисторы многоканальные
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара
Монтаж: SMD · Корпус: SOT563 · Корпус: SC89 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
Описание
VISHAY SI1016CX-T1-GE3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC89; SOT563; Напряжение сток-исток — 20/-20В; Ток стока — 0,49/-0,49А.
Сопротивление в открытом состоянии — 396/756мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,14Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 2/2,5нC; Технология — TrenchFET®; Вид транзистора — дополнительная пара.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В; Ток стока в импульсном режиме — 2А.
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC89, SOT563
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1016CX-T1-GE3
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
