О модели
Описание
VISHAY SI1013R-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC75A; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -0,275А.
Сопротивление в открытом состоянии — 2,7Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 80мВт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 1,5нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±6В.
Перед заказом проверьте артикул SI1013R-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC75A
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1013R-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
