VISHAY
· Полупроводники
VISHAY IRFR110TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRFR110TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Ток стока: 2,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
VISHAY IRFR110TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,54Ом; Рассеиваемая мощность — 25Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 8,3нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 17А.
Перед заказом проверьте артикул IRFR110TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFR110TRPBF
Материалы
Документация
Техническое описание: IRFR110PBFEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
