VISHAY · Полупроводники

VISHAY IRFBE20PBF — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: IRFBE20PBF

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 7,2А; 54Вт; TO220AB

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулIRFBE20PBF
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 1,8 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

VISHAY IRFBE20PBF — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY IRFBE20PBF — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,8 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB.

Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 6,5Ом; Рассеиваемая мощность — 54Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 38нC; Толщина радитора — 1,14...1,4мм; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — 7,2А.

Перед заказом проверьте артикул IRFBE20PBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
1,8 А
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
IRFBE20PBF
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.