VISHAY
· Полупроводники
VISHAY IRF840STRLPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF840STRLPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Ток стока: 5,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
VISHAY IRF840STRLPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,85Ом; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 63нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 32А.
Перед заказом проверьте артикул IRF840STRLPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF840STRLPBF
Материалы
Документация
Техническое описание: IRF840SPBFEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
