VISHAY · Полупроводники

VISHAY 2N7002E-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: 2N7002E-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,3А; 0,22Вт; SOT23

Производитель автоматикиVISHAY
Артикул2N7002E-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 0,24 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY 2N7002E-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY 2N7002E-T1-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,24 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.

Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 3Ом; Рассеиваемая мощность — 0,22Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 0,6нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 1,3А.

Перед заказом проверьте артикул 2N7002E-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
0,24 А
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
2N7002E-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.