Транзистор ONSEMI NTH027N65S3F-F155
ONSEMI NTH027N65S3F-F155. Категория: Транзисторы с каналом N THT. Тип транзистора: N-MOSFET. Полярность: полевой. Напряжение сток-исток: 650В. Ток стока: 60А. Ток стока в импульсном режиме: 187,5А. Рассеиваемая мощность: 595Вт. Корпус: TO247. Напряжение затвор-исток: ±30В. Сопротивление в открытом состоянии: 23мОм. Монтаж: THT. Заряд затвора: 259нC. Вид упаковки: туба. Вид канала: обогащенный. Масса: 3 г.
Описание
ONSEMI NTH027N65S3F-F155. Категория: Транзисторы с каналом N THT. Тип транзистора: N-MOSFET. Полярность: полевой. Напряжение сток-исток: 650В. Ток стока: 60А. Ток стока в импульсном режиме: 187,5А. Рассеиваемая мощность: 595Вт. Корпус: TO247. Напряжение затвор-исток: ±30В. Сопротивление в открытом состоянии: 23мОм. Монтаж: THT. Заряд затвора: 259нC. Вид упаковки: туба. Вид канала: обогащенный. Масса: 3 г.
Технические характеристики
- Производитель
- ONSEMI
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Полярность
- полевой
- Напряжение сток-исток
- 650В
- Ток стока
- 60А
- Ток стока в импульсном режиме
- 187,5А
- Рассеиваемая мощность
- 595Вт
- Корпус
- TO247
- Напряжение затвор-исток
- ±30В
- Сопротивление в открытом состоянии
- 23мОм
- Монтаж
- THT
- Заряд затвора
- 259нC
- Вид упаковки
- туба
- Вид канала
- обогащенный
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NTH027N65S3F-F155
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.