Транзистор ONSEMI FCH029N65S3-F155
ONSEMI FCH029N65S3-F155. Категория: Транзисторы с каналом N THT. Сопротивление в открытом состоянии: 23,7мОм. Монтаж: THT. Ток стока в импульсном режиме: 200А. Рассеиваемая мощность: 463Вт. Заряд затвора: 201нC. Полярность: полевой. Ток стока: 50,8А. Вид канала: обогащенный. Напряжение сток-исток: 650В. Тип транзистора: N-MOSFET. Напряжение затвор-исток: ±30В. Вид упаковки: туба. Корпус: TO247. Масса: 3 г.
Описание
ONSEMI FCH029N65S3-F155. Категория: Транзисторы с каналом N THT. Сопротивление в открытом состоянии: 23,7мОм. Монтаж: THT. Ток стока в импульсном режиме: 200А. Рассеиваемая мощность: 463Вт. Заряд затвора: 201нC. Полярность: полевой. Ток стока: 50,8А. Вид канала: обогащенный. Напряжение сток-исток: 650В. Тип транзистора: N-MOSFET. Напряжение затвор-исток: ±30В. Вид упаковки: туба. Корпус: TO247. Масса: 3 г.
Технические характеристики
- Производитель
- ONSEMI
- Сопротивление в открытом состоянии
- 23,7мОм
- Монтаж
- THT
- Ток стока в импульсном режиме
- 200А
- Рассеиваемая мощность
- 463Вт
- Заряд затвора
- 201нC
- Полярность
- полевой
- Ток стока
- 50,8А
- Вид канала
- обогащенный
- Напряжение сток-исток
- 650В
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Напряжение затвор-исток
- ±30В
- Вид упаковки
- туба
- Корпус
- TO247
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FCH029N65S3-F155
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.