Транзистор IXYS IXBT12N300HV
IXYS IXBT12N300HV. Категория: Транзисторы IGBT SMD. Тип транзистора: IGBT. Технология: BiMOSFET™. Рассеиваемая мощность: 160Вт. Корпус: TO268. Монтаж: SMD. Заряд затвора: 62нC. Характеристики полупроводниковых элементов: высоковольтный. Ток коллектора в импульсе: 98А. Время включения: 64нс. Время выключения: 180нс. Напряжение затвор - эмиттер: ±20В. Ток коллектора: 30А. Напряжение коллектор-эмиттер: 3кВ. Масса: 3,93 г.
Описание
IXYS IXBT12N300HV. Категория: Транзисторы IGBT SMD. Тип транзистора: IGBT. Технология: BiMOSFET™. Рассеиваемая мощность: 160Вт. Корпус: TO268. Монтаж: SMD. Заряд затвора: 62нC. Характеристики полупроводниковых элементов: высоковольтный. Ток коллектора в импульсе: 98А. Время включения: 64нс. Время выключения: 180нс. Напряжение затвор - эмиттер: ±20В. Ток коллектора: 30А. Напряжение коллектор-эмиттер: 3кВ. Масса: 3,93 г.
Технические характеристики
- Производитель
- IXYS
- Тип транзистора
- IGBT
- Технология
- BiMOSFET™
- Рассеиваемая мощность
- 160Вт
- Корпус
- TO268
- Монтаж
- SMD
- Заряд затвора
- 62нC
- Характеристики полупроводниковых элементов
- высоковольтный
- Ток коллектора в импульсе
- 98А
- Время включения
- 64нс
- Время выключения
- 180нс
- Напряжение затвор - эмиттер
- ±20В
- Ток коллектора
- 30А
- Напряжение коллектор-эмиттер
- 3кВ
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXBT12N300HV
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.