Транзистор INFINEON TECHNOLOGIES IMW65R027M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES IMW65R027M1HXKSA1. Категория: Транзисторы с каналом N THT. Монтаж: THT. Ток стока в импульсном режиме: 185А. Рассеиваемая мощность: 189Вт. Полярность: полевой. Технология: CoolSiC™, SiC. Ток стока: 39А. Вид канала: обогащенный. Напряжение сток-исток: 650В. Тип транзистора: N-MOSFET. Напряжение затвор-исток: -5...23В. Вид упаковки: туба. Корпус: TO247. Сопротивление в открытом состоянии: 35мОм. Масса: 6,5 г.
Описание
INFINEON TECHNOLOGIES IMW65R027M1HXKSA1. Категория: Транзисторы с каналом N THT. Монтаж: THT. Ток стока в импульсном режиме: 185А. Рассеиваемая мощность: 189Вт. Полярность: полевой. Технология: CoolSiC™, SiC. Ток стока: 39А. Вид канала: обогащенный. Напряжение сток-исток: 650В. Тип транзистора: N-MOSFET. Напряжение затвор-исток: -5...23В. Вид упаковки: туба. Корпус: TO247. Сопротивление в открытом состоянии: 35мОм. Масса: 6,5 г.
Технические характеристики
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Монтаж
- THT
- Ток стока в импульсном режиме
- 185А
- Рассеиваемая мощность
- 189Вт
- Полярность
- полевой
- Технология
- CoolSiC™, SiC
- Ток стока
- 39А
- Вид канала
- обогащенный
- Напряжение сток-исток
- 650В
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Напряжение затвор-исток
- -5...23В
- Вид упаковки
- туба
- Корпус
- TO247
- Сопротивление в открытом состоянии
- 35мОм
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IMW65R027M1HXKSA1
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.