Транзистор INFINEON TECHNOLOGIES IMW120R350M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES IMW120R350M1HXKSA1. Категория: Транзисторы с каналом N THT. Монтаж: THT. Ток стока в импульсном режиме: 13А. Рассеиваемая мощность: 30Вт. Полярность: полевой. Технология: CoolSiC™, SiC. Ток стока: 4,7А. Вид канала: обогащенный. Напряжение сток-исток: 1,2кВ. Тип транзистора: N-MOSFET. Напряжение затвор-исток: -7...23В. Вид упаковки: туба. Корпус: TO247. Сопротивление в открытом состоянии: 662мОм. Масса: 6,5 г.
Описание
INFINEON TECHNOLOGIES IMW120R350M1HXKSA1. Категория: Транзисторы с каналом N THT. Монтаж: THT. Ток стока в импульсном режиме: 13А. Рассеиваемая мощность: 30Вт. Полярность: полевой. Технология: CoolSiC™, SiC. Ток стока: 4,7А. Вид канала: обогащенный. Напряжение сток-исток: 1,2кВ. Тип транзистора: N-MOSFET. Напряжение затвор-исток: -7...23В. Вид упаковки: туба. Корпус: TO247. Сопротивление в открытом состоянии: 662мОм. Масса: 6,5 г.
Технические характеристики
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Монтаж
- THT
- Ток стока в импульсном режиме
- 13А
- Рассеиваемая мощность
- 30Вт
- Полярность
- полевой
- Технология
- CoolSiC™, SiC
- Ток стока
- 4,7А
- Вид канала
- обогащенный
- Напряжение сток-исток
- 1,2кВ
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Напряжение затвор-исток
- -7...23В
- Вид упаковки
- туба
- Корпус
- TO247
- Сопротивление в открытом состоянии
- 662мОм
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IMW120R350M1HXKSA1
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.