О модели
Описание
TOSHIBA TK11P65W,RQ(S — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 11,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 440мОм; Рассеиваемая мощность — 100Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 25нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул TK11P65W,RQ(S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 11,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- TK11P65W,RQ(S
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
