О модели
Описание
TOSHIBA TJ60S06M3L(T6L1,NQ. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -60А.
Сопротивление в открытом состоянии — 14,5мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 100Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 156нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -20...10В.
Ток стока в импульсном режиме — -120А.
Перед заказом проверьте артикул TJ60S06M3L(T6L1,NQ, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
