О модели
Описание
TOSHIBA SSM6J501NU,LF. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — uDFN6; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -10А.
Сопротивление в открытом состоянии — 43мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 29,9нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Ток стока в импульсном режиме — -30А.
Перед заказом проверьте артикул SSM6J501NU,LF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- uDFN6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SSM6J501NU,LF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
