Texas Instruments UCC27211DR — Драйверы MOSFET/IGBT
IC: driver; Н мост,полумост MOSFET; SO8; 4А; 50÷290мВ; Ch: 2
Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Выходной ток: 4 А · Корпус: SO8 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
Описание
Texas Instruments UCC27211DR. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...140°C; Корпус — SO8; Напряжение питания — 8...17В DC.
Выходное напряжение — 50...290мВ; Выходной ток — 4 А; Тип микросхемы — driver; Время нарастания импульса — 600нс.
Время падения импульса — 400нс; Количество каналов — 2; Характеристики интегральных схем — UVLO (UnderVoltage LockOut); active Miller clamp; integrated bootstrap functionality; Вид микросхемы — high-/low-side; контроллер затвора MOSFET.
Топология — Н мост; полумост MOSFET.
Технические характеристики
- Количество каналов
- 2
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Выходной ток
- 4 А
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- UCC27211DR
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
