Texas Instruments UCC27200DR — Драйверы MOSFET/IGBT
IC: driver; Н мост,полумост MOSFET; SO8; 3А; Ch: 2; 8÷17ВDC
Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Выходной ток: 3 А · Корпус: SO8 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
Описание
Texas Instruments UCC27200DR. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...140°C; Корпус — SO8; Напряжение питания — 8...17В DC.
Выходной ток — 3 А; Тип микросхемы — driver; Время нарастания импульса — 600нс; Время падения импульса — 600нс.
Количество каналов — 2; Характеристики интегральных схем — UVLO (UnderVoltage LockOut); integrated bootstrap functionality; Вид микросхемы — high-/low-side; контроллер затвора MOSFET; Топология — Н мост; полумост MOSFET.
Технические характеристики
- Количество каналов
- 2
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Выходной ток
- 3 А
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- UCC27200DR
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
