Texas Instruments
· Интегральные микросхемы
Texas Instruments TPS28226DR — Драйверы MOSFET/IGBT
MPN / артикул: TPS28226DR
IC: driver; полумост MOSFET; контроллер затвора MOSFET; SO8; 2А
Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Выходной ток: 2 А · Корпус: SO8 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
О модели
Описание
Texas Instruments TPS28226DR. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — SO8; Выходной ток — 2 А.
Тип микросхемы — driver; Время нарастания импульса — 10нс; Время падения импульса — 10нс; Характеристики интегральных схем — UVLO (UnderVoltage LockOut); integrated bootstrap functionality; мертвое время.
Защита — от снижения напряжения UVP; Вид микросхемы — контроллер затвора MOSFET; Топология — полумост MOSFET.
Перед заказом проверьте артикул TPS28226DR, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Выходной ток
- 2 А
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- TPS28226DR
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
