Texas Instruments TPS28225DR — Драйверы MOSFET/IGBT
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Выходной ток: 6 А · Корпус: SO8 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
Описание
Texas Instruments TPS28225DR. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — SO8; Напряжение питания — 4,5...8В DC.
Выходной ток — 6 А; Тип микросхемы — driver; Время нарастания импульса — 10нс; Время падения импульса — 10нс.
Количество каналов — 2; Вид выхода — инвертирующий; неинвертирующий; Характеристики интегральных схем — UVLO (UnderVoltage LockOut); integrated bootstrap functionality; мертвое время; Защита — от снижения напряжения UVP.
Вид микросхемы — high-/low-side; контроллер затвора; Топология — полумост MOSFET.
Технические характеристики
- Количество каналов
- 2
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Выходной ток
- 6 А
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- TPS28225DR
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
