Texas Instruments
· Интегральные микросхемы
Texas Instruments TPS2811DR — Драйверы MOSFET/IGBT
MPN / артикул: TPS2811DR
IC: driver; low-side,контроллер затвора; SO8; -2÷2А; 180мВ÷9,9В
Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
О модели
Описание
Texas Instruments TPS2811DR. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — SO8; Напряжение питания — 4...14В DC.
Выходное напряжение — 180мВ...9,9В; Выходной ток — -2...2А; Тип микросхемы — driver; Время нарастания импульса — 35нс.
Время падения импульса — 35нс; Количество каналов — 2; Вид выхода — инвертирующий; Входное напряжение — 8...40В.
Вид микросхемы — low-side; контроллер затвора.
Перед заказом проверьте артикул TPS2811DR, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Количество каналов
- 2
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- TPS2811DR
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
