Texas Instruments LM2105DR — Драйверы MOSFET/IGBT
IC: driver; buck,полумост MOSFET; SO8; 250÷800мВ; Uвх: 0÷18,3В
Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
Описание
Texas Instruments LM2105DR. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — SO8; Напряжение питания — 5...18В.
Выходное напряжение — 250...800мВ; Тип микросхемы — driver; Время нарастания импульса — 115нс; Время падения импульса — 115нс.
Входное напряжение — 0...18,3В; Характеристики интегральных схем — UVLO (UnderVoltage LockOut); integrated bootstrap functionality; Вид микросхемы — high-/low-side; контроллер затвора MOSFET; Топология — buck; полумост MOSFET.
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- LM2105DR
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
