Texas Instruments ISO5851DW — Драйверы MOSFET/IGBT
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А; Ch: 2
Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Корпус: SO16-W · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
Описание
Texas Instruments ISO5851DW. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — SO16-W; Напряжение питания — 15...30В DC.
Выходной ток — -5...2,5А; Тип микросхемы — driver; Время нарастания импульса — 35нс; Время падения импульса — 37нс.
Количество каналов — 2; Напряжение изоляции — 5,7кВ; Входное напряжение — 3...5,5В; Характеристики интегральных схем — гальваническая развязка.
Защита — от снижения напряжения UVP; Вид микросхемы — high-/low-side; контроллер затвора; Топология — полумост IGBT; полумост MOSFET.
Технические характеристики
- Количество каналов
- 2
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO16-W
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ISO5851DW
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
