Texas Instruments
· Полупроводники
Texas Instruments CSD19538Q3AT — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: CSD19538Q3AT
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Ток стока: 15 А · Монтаж: SMD · Корпус: VSONP8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Texas Instruments CSD19538Q3AT — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 15 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — VSONP8.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 49мОм; Рассеиваемая мощность — 23Вт; Полярность — полевой.
Размеры — 3,3x3,3мм; Заряд затвора — 4,3нC; Технология — NexFET™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул CSD19538Q3AT, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 15 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- VSONP8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- CSD19538Q3AT
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
