Texas Instruments
· Полупроводники
Texas Instruments CSD19537Q3T — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: CSD19537Q3T
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 83Вт; VSON-CLIP8
Ток стока: 50 А · Монтаж: SMD · Корпус: VSON-CLIP8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Texas Instruments CSD19537Q3T — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 50 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — VSON-CLIP8.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 12,1мОм; Рассеиваемая мощность — 83Вт; Полярность — полевой.
Размеры — 3,3x3,3мм; Заряд затвора — 16нC; Технология — NexFET™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул CSD19537Q3T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 50 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- VSON-CLIP8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- CSD19537Q3T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
