Texas Instruments
· Полупроводники
Texas Instruments CSD19506KTT — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: CSD19506KTT
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK
Ток стока: 200 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Texas Instruments CSD19506KTT — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 200 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,8мОм; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.
Технология — NexFET™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 400А.
Перед заказом проверьте артикул CSD19506KTT, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 200 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- CSD19506KTT
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
