Texas Instruments
· Полупроводники
Texas Instruments CSD17308Q3T — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: CSD17308Q3T
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт; 3,3x3,3мм
Ток стока: 50 А · Монтаж: SMD · Корпус: VSON-CLIP8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Texas Instruments CSD17308Q3T — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 50 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — VSON-CLIP8.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 9,4мОм; Рассеиваемая мощность — 2,7Вт; Полярность — полевой.
Размеры — 3,3x3,3мм; Заряд затвора — 3,9нC; Технология — NexFET™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±10В; Ток стока в импульсном режиме — 167А.
Перед заказом проверьте артикул CSD17308Q3T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 50 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- VSON-CLIP8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- CSD17308Q3T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
