TAIWAN SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM80N1R2CI C0G — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: TSM80N1R2CI C0G
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,4А; 25Вт; TO220FP
Ток стока: 3,4 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220FP · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM80N1R2CI C0G — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,4 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220FP.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,2Ом; Рассеиваемая мощность — 25Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 19,4нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул TSM80N1R2CI C0G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,4 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220FP
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- TSM80N1R2CI C0G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
