TAIWAN SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM300NB06CR RLG — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: TSM300NB06CR RLG
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6А; 19Вт; PDFN56
Ток стока: 6 А · Монтаж: SMD · Корпус: PDFN56 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM300NB06CR RLG — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PDFN56.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 30мОм; Рассеиваемая мощность — 19Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 18нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул TSM300NB06CR RLG, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PDFN56
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- TSM300NB06CR RLG
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
