TAIWAN SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
TAIWAN SEMICONDUCTOR TESDL5V0B45P1M3 RWG — Диоды защитные - сборки
MPN / артикул: TESDL5V0B45P1M3 RWG
Диод: TVS, сборка; 5,5÷9,5В; 12А; 130Вт; двунаправленный; ESD; Ch: 1
Количество каналов: 1 · Тип диода: TVS, сборка · Монтаж: SMD · Корпус: SOD323 · Максимальное обратное напряжение: 5 В · Тип товара: Диоды защитные - сборки
О модели
Описание
TAIWAN SEMICONDUCTOR TESDL5V0B45P1M3 RWG. Категория: «Диоды защитные - сборки».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOD323; Максимальное обратное напряжение — 5 В; Конструкция диода — двунаправленный.
Импульсный ток — 12А; Напряжение пробоя — 5,5...9,5В; Ток утечки — 0,1мкА; Количество каналов — 1.
Тип диода — TVS, сборка; Версия — ESD; Рассеиваемая мощность в импульсе макс. — 0,13кВт.
Перед заказом проверьте артикул TESDL5V0B45P1M3 RWG, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Количество каналов
- 1
- Тип диода
- TVS, сборка
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOD323
- Максимальное обратное напряжение
- 5 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- TESDL5V0B45P1M3 RWG
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
