STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STS5P3LLH6 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: STS5P3LLH6
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™ H6; полевой; -30В; -3,2А; Idm: -20А
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
STMicroelectronics STS5P3LLH6. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -3,2А.
Сопротивление в открытом состоянии — 56мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,7Вт; Полярность — полевой.
Технология — STripFET™ H6; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -20А.
Перед заказом проверьте артикул STS5P3LLH6, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STS5P3LLH6
Материалы
Документация
Техническое описание: STS5P3LLH6EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
