STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: STQ2HNK60ZR-AP
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А; 3Вт
Ток стока: 0,5 А · Монтаж: THT · Корпус: TO92 Formed · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,5 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO92 Formed.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 4,8Ом; Рассеиваемая мощность — 3Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 11нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 2А.
Перед заказом проверьте артикул STQ2HNK60ZR-AP, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,5 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO92 Formed
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STQ2HNK60ZR-AP
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
