STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STP35N60M2-EP — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: STP35N60M2-EP
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 600В; 16А; Idm: 70А
Ток стока: 16 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
STMicroelectronics STP35N60M2-EP — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 16 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220-3.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,13Ом; Рассеиваемая мощность — 190Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 41нC; Технология — MDmesh™ M2; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В.
Ток стока в импульсном режиме — 70А.
Перед заказом проверьте артикул STP35N60M2-EP, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 16 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STP35N60M2-EP
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
