STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STP11NM60ND — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: STP11NM60ND
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; полевой; 600В; 6,3А; 90Вт
Ток стока: 6,3 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
STMicroelectronics STP11NM60ND — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6,3 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220-3.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,45Ом; Рассеиваемая мощность — 90Вт; Полярность — полевой.
Технология — FDmesh™ II; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В.
Перед заказом проверьте артикул STP11NM60ND, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6,3 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STP11NM60ND
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
