STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STN3P6F6 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: STN3P6F6
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD
Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STN3P6F6. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -2А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,16Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,6Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Технология — SuperMesh™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул STN3P6F6, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STN3P6F6
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
