STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STGYA50H120DF2 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: STGYA50H120DF2
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 535Вт; MAX247
Ток коллектора: 50 А · Монтаж: THT · Корпус: MAX247 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
STMicroelectronics STGYA50H120DF2. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — MAX247; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 50 А; Ток коллектора в импульсе — 200А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 535Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 0,21мкC.
Перед заказом проверьте артикул STGYA50H120DF2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 50 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- MAX247
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGYA50H120DF2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
