STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STGW80H65DFB — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: STGW80H65DFB
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 470Вт; TO247-3
Ток коллектора: 80 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
STMicroelectronics STGW80H65DFB. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 80 А; Ток коллектора в импульсе — 300А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 470Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 414нC.
Перед заказом проверьте артикул STGW80H65DFB, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 80 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGW80H65DFB
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
