STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STGW30V60DF — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: STGW30V60DF
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 258Вт; TO247-3
Ток коллектора: 30 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
STMicroelectronics STGW30V60DF. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 120А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 258Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 163нC.
Перед заказом проверьте артикул STGW30V60DF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 30 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGW30V60DF
Материалы
Документация
Техническое описание: STGW30V60DFEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
