STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STGF30M65DF2 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: STGF30M65DF2
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 38Вт; TO220FP
Ток коллектора: 30 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220FP · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
STMicroelectronics STGF30M65DF2. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220FP; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 120А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 38Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 80нC.
Перед заказом проверьте артикул STGF30M65DF2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 30 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220FP
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGF30M65DF2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
