STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STGE200NB60S — Модули IGBT
MPN / артикул: STGE200NB60S
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP
Ток коллектора: 150 А · Корпус: ISOTOP · Максимальное обратное напряжение: 600 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
STMicroelectronics STGE200NB60S. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — ISOTOP; Максимальное обратное напряжение — 600 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 150 А; Ток коллектора в импульсе — 400А; Рассеиваемая мощность — 600Вт; Электрический монтаж — винтами.
Механический монтаж — винтами; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул STGE200NB60S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 150 А
- Корпус
- ISOTOP
- Максимальное обратное напряжение
- 600 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGE200NB60S
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
