STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STGD4M65DF2 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: STGD4M65DF2
Транзистор: IGBT; 650В; 4А; 68Вт; DPAK
Ток коллектора: 4 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STGD4M65DF2. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 4 А; Ток коллектора в импульсе — 16А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 68Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 15,2нC.
Перед заказом проверьте артикул STGD4M65DF2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGD4M65DF2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
