STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STGB6M65DF2 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: STGB6M65DF2
Транзистор: IGBT; 650В; 6А; 88Вт; D2PAK
Ток коллектора: 6 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STGB6M65DF2. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 6 А; Ток коллектора в импульсе — 24А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 88Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 21,2нC.
Перед заказом проверьте артикул STGB6M65DF2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGB6M65DF2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
