STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STGB30H65DFB2 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: STGB30H65DFB2
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 167Вт; D2PAK
Ток коллектора: 30 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STGB30H65DFB2. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 90А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 167Вт.
Заряд затвора — 90нC.
Перед заказом проверьте артикул STGB30H65DFB2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 30 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGB30H65DFB2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
